输入电容值(Ciss)
3100pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.26 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
N沟道 200V 31A
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道 200V 31A
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
