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FQB6N60CTM
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FQB6N60CTM 数据手册 (9 页)
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FQB6N60CTM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
功耗
125W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
810pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
125W (Tc)

FQB6N60CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQB6N60CTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.66 MByte

FQB6N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 6.2A
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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