￥ 0.859

FQB9N50CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQB9N50CTM 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQB9N50CTM 数据手册 (8 页)

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FQB9N50CTM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.65 Ω

极性

N-Channel

功耗

135 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

135 W

下降时间

64 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

135W (Tc)

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FQB9N50CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQB9N50CTM 符合标准

FQB9N50CTM 海关信息