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FQD10N20CTM_F080
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FQD10N20CTM_F080 数据手册 (11 页)
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FQD10N20CTM_F080 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
360 mΩ
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
上升时间
92 ns
输入电容值(Ciss)
510pF @25V(Vds)
下降时间
72 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

FQD10N20CTM_F080 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD10N20CTM_F080 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.53 MByte

FQD10N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD10N20CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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