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FQD11P06TF
1.044
FQD11P06TF 数据手册 (2 页)
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FQD11P06TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-9.40 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
185 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5W (Ta), 38W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.40 A
输入电容值(Ciss)
550pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 38W (Tc)

FQD11P06TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD11P06TF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 1.29 MByte

FQD11P06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD11P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -4 V 新
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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