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FQD17P06TF
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FQD17P06TF 数据手册 (9 页)
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FQD17P06TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-12.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
135 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5W (Ta), 44W (Tc)
输入电容
690 pF
栅电荷
21.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)

FQD17P06TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD17P06TF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 1.4 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 1.55 MByte

FQD17P06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD17P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD17P06TM, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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