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FQD19N10LTM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10LTM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQD19N10LTM 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQD19N10LTM 数据手册 (8 页)

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FQD19N10LTM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.074 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

410 ns

输入电容值(Ciss)

670pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

140 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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FQD19N10LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.1 mm

高度

2.3 mm

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FQD19N10LTM 符合标准

FQD19N10LTM 概述

FQD19N10LTM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 1.3 MByte

FQD19N10LTM 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 1.41 MByte

FQD19N10LTM 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

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