FQD2N60CTM

￥ 1

FQD2N60CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD2N60CTM 数据手册 (2 页)

FQD2N60CTM 数据手册 (2 页)

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FQD2N60CTM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

1.90 A

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

44 W

阈值电压

4 V

输入电容

235 pF

栅电荷

12.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.90 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

235pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

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FQD2N60CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQD2N60CTM 符合标准

FQD2N60CTM 海关信息

FQD2N60CTM 概述

FQD2N60CTM 数据手册

FQD2N60CTM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.22 MByte

FQD2N60CTM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQD2N60CTM 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FQD2N60CTM 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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