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FQD2N80TM_WS
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FQD2N80TM_WS 数据手册 (10 页)
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FQD2N80TM_WS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
功耗
2.5W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds)
800 V
输入电容值(Ciss)
550pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)

FQD2N80TM_WS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD2N80TM_WS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.91 MByte

FQD2N80 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N80TM, 1.8 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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