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FQD2N90TF
0.189
FQD2N90TF 数据手册 (9 页)
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FQD2N90TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
900 V
额定电流
1.70 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
7.20 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5W (Ta), 50W (Tc)
输入电容
500 pF
栅电荷
15.0 nC
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.70 A
输入电容值(Ciss)
500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)

FQD2N90TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD2N90TF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 1.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 1.19 MByte

FQD2N90 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
FQD2N90 系列 900 V 1.7 A 7.2 Ohm N-沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3
Fairchild(飞兆/仙童)
900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 900V 1.7A
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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