￥ 2.133

FQD2N90TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQD2N90TM 数据手册 (2 页)

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FQD2N90TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

900 V

额定电流

1.70 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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FQD2N90TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQD2N90TM 符合标准

FQD2N90TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.22 MByte

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