￥ 0.716

FQD3N60CTM-WS 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQD3N60CTM-WS 数据手册

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FQD3N60CTM-WS 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.8 Ω

功耗

50 W

阈值电压

4 V

输入电容

435 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

30 ns

正向电压(Max)

1.4 V

输入电容值(Ciss)

435pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50000 mW

FQD3N60CTM-WS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

FQD3N60CTM-WS 符合标准

FQD3N60CTM-WS 概述

FQD3N60CTM-WS 数据手册

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