￥ 0.493

FQD5N60CTM_WS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD5N60CTM_WS 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQD5N60CTM_WS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

功耗

2.5W (Ta), 49W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

输入电容值(Ciss)

670pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 49W (Tc)

查看数据手册 >

FQD5N60CTM_WS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FQD5N60CTM_WS 符合标准

FQD5N60CTM_WS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.54 MByte

FQD5N60CTM_WS 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQD5N60 数据手册

FQD5N60CTM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

FQD5N60CTM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD5N60CTM, 2.8 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

FQD5N60C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FQD5N60CTF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FQD5N60CTM_F080 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD5N60CTM_WS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD5N60CTM-WS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道 600V 2.8A

FQD5N60CTM_F080 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQD5N60CTF 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQD5N60C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号