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FQD6N40CTM
0.543
FQD6N40CTM 数据手册 (2 页)
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FQD6N40CTM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
4.50 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.83 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
65 ns
输入电容值(Ciss)
625pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)

FQD6N40CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD6N40CTM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

FQD6N40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD6N40CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 0.83 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
FQD6N40C 系列 400 V 1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO 252-3
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 400V 4.2A
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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