FQD6N40CTM

￥ 4.119

FQD6N40CTM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-3

描述:

FQD6N40C 系列 400 V 1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO 252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQD6N40CTM 数据手册 (10 页)

2 技术参数、封装参数

4

5

6

或点击图片查看大图

FQD6N40CTM 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.83 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

400 V

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

480pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

FQD6N40CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FQD6N40CTM 符合标准

FQD6N40CTM 概述

FQD6N40CTM 数据手册

FQD6N40CTM 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.6 MByte

FQD6N40CTM 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

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