Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FQD7N20TM_F080 Datasheet 文档
FQD7N20TM_F080
0
FQD7N20TM_F080 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FQD7N20TM_F080 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
5.3A
上升时间
65 ns
输入电容值(Ciss)
400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)

FQD7N20TM_F080 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD7N20TM_F080 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.78 MByte

FQD7N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
FQD7N20L: 功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET,200 V,5.5 A,750 mΩ,DPAK
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z