FQD8N25 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD8P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V

ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQD8P10TM_F085: -100V，-6.6A，530mΩ，DPAK，P 沟道 QFET

N沟道 250V 6.2A

100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET