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FQN1N50C
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FQN1N50C 数据手册 (8 页)
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FQN1N50C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-92
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
0.38A

FQN1N50C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FQN1N50C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.01 MByte

FQN1N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQN1N50CTA  晶体管, MOSFET, N沟道, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N50CTA, 380 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 380mA
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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