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FQN1N50CTA
0.205
FQN1N50CTA 数据手册 (8 页)
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FQN1N50CTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4.6 Ω
功耗
0.89 W
阈值电压
4 V
输入电容
150 pF
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
890 mW
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.08 W

FQN1N50CTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm

FQN1N50CTA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.37 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.18 MByte

FQN1N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQN1N50CTA  晶体管, MOSFET, N沟道, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N50CTA, 380 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 380mA
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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