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FQP11N40C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP11N40C, 10.5 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQP11N40C 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FQP11N40C 数据手册 (10 页)

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FQP11N40C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.43 Ω

功耗

135 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

400 V

上升时间

89 ns

输入电容值(Ciss)

840pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

135 W

下降时间

81 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

135000 mW

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FQP11N40C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FQP11N40C 符合标准

FQP11N40C 概述

FQP11N40C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.68 MByte

FQP11N40C 其他数据使用手册

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18 页 / 1.07 MByte

FQP11N40C 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

FQP11N40C 产品修订记录

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