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FQP11N40C_Q
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FQP11N40C_Q 数据手册 (11 页)
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FQP11N40C_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
135 W
漏源极电压(Vds)
400 V
连续漏极电流(Ids)
10.5A
上升时间
89 ns
下降时间
81 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FQP11N40C_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

FQP11N40C_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.68 MByte

FQP11N40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP11N40C  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 400 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP11N40C, 10.5 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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