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FQP12P20
1.847
FQP12P20 数据手册 (8 页)
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FQP12P20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.36 Ω
功耗
120 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
195 ns
输入电容值(Ciss)
920pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
120 W
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120000 mW

FQP12P20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm

FQP12P20 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.56 MByte

FQP12 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP12P20.  晶体管, MOSFET, P沟道, 11.5 A, -200 V, 360 mohm, -10 V, -5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP12N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP12N60C 系列 600 V 0.65 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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