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FQP13N10
0.557
FQP13N10 数据手册 (8 页)
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FQP13N10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
12.8 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.142 Ω
极性
N-Channel
功耗
65 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.8 A
上升时间
55 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
65 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
65W (Tc)

FQP13N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FQP13N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.64 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.73 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FQP13 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP13N50 系列 500 V 0.43 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N06L, 13.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor(安森美)
FQP13N10 系列 100 V 0.18 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N10L, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
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