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FQP13N10L
0.445
FQP13N10L 数据手册 (8 页)
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FQP13N10L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
12.8 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.142 Ω
极性
N-Channel
功耗
65 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.8 A
输入电容值(Ciss)
520pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
65 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
65W (Tc)

FQP13N10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP13N10L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 1.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte

FQP13N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP13N10 系列 100 V 0.18 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N10L, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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