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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FQP17N08L Datasheet 文档
FQP17N08L
0.147

FQP17N08L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
16.5 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
65W (Tc)
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.5 A
输入电容值(Ciss)
520pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
65 W
耗散功率(Max)
65W (Tc)

FQP17N08L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP17N08L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.56 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.54 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.54 MByte

FQP17N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 80V N沟道MOSFET 80V LOGIC N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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