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FQP17N08L
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FQP17N08L 数据手册 (1 页)
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FQP17N08L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
65W (Tc)
漏源极电压(Vds)
80 V
输入电容值(Ciss)
520pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
65W (Tc)

FQP17N08L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP17N08L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.54 MByte

FQP17N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 80V N沟道MOSFET 80V LOGIC N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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