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FQP27P06
1.876
FQP27P06 数据手册 (8 页)
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FQP27P06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-27.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
120 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
P-Channel
功耗
120 W
输入电容
1.10 nF
栅电荷
33.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
-27.0 A
上升时间
185 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
120 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120W (Tc)

FQP27P06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP27P06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.72 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FQP27 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP27P06  晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP27P06 系列 60 V 0.07 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP27N25..  场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 25.5A, TO-220
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP27N25, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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