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FQP34N20L
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FQP34N20L 数据手册 (8 页)
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FQP34N20L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
31.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
57.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
180W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
31.0 A
输入电容值(Ciss)
3900pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
180W (Tc)

FQP34N20L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQP34N20L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.77 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FQP34N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP34N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 0.06 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP34N20, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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