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FQP45N15V2
1.195
FQP45N15V2 数据手册 (13 页)
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FQP45N15V2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
45.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
34 mΩ
极性
N-Channel
功耗
220 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
45.0 A
上升时间
232 ns
输入电容值(Ciss)
3030pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
220 W
下降时间
246 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
220W (Tc)

FQP45N15V2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQP45N15V2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 1.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FQP45N15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP45N15V2  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 150 V, 34 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V
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