￥ 1.616

FQP6N80C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQP6N80C 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FQP6N80C 数据手册 (10 页)

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FQP6N80C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.1 Ω

功耗

158 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

1010pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

158 W

下降时间

44 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

158000 mW

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FQP6N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

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FQP6N80C 符合标准

FQP6N80C 概述

FQP6N80C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.98 MByte

FQP6N80C 其他数据使用手册

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FQP6N80C 产品修订记录

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