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FQP70N08
8.104

FQP70N08 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
70.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
17.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
155W (Tc)
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80.0 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
70.0 A
输入电容值(Ciss)
2700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
155 W
耗散功率(Max)
155W (Tc)

FQP70N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP70N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
16 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.47 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FQP70 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP70N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP70N10, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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