FQP8N80C

￥ 0.838

FQP8N80C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQP8N80C 数据手册 (2 页)

FQP8N80C 数据手册 (2 页)

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FQP8N80C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.29 Ω

极性

N-Channel

功耗

178 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

110 ns

输入电容值(Ciss)

2050pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

178 W

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

178W (Tc)

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FQP8N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQP8N80C 符合标准

FQP8N80C 海关信息

FQP8N80C 数据手册

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2 页 / 0.01 MByte

FQP8N80C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.96 MByte

FQP8N80C 产品设计图

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1 页 / 0.09 MByte

FQP8N80C 产品修订记录

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4 页 / 0.5 MByte

FQP8N80C 产品手册

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10 页 / 0.88 MByte

FQP8N80 数据手册

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