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FQPF13N10L
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FQPF13N10L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
30 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
8.7A
上升时间
220 ns
输入电容值(Ciss)
520pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
72 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

FQPF13N10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQPF13N10L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.55 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.54 MByte

FQPF13N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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