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FQPF3N80CYDTU
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FQPF3N80CYDTU 数据手册 (11 页)
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FQPF3N80CYDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
39W (Tc)
漏源极电压(Vds)
800 V
上升时间
43.5 ns
输入电容值(Ciss)
705pF @25V(Vds)
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
39W (Tc)

FQPF3N80CYDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF3N80CYDTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.86 MByte

FQPF3N80 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF3N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF3N80C, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 800V 3A
ON Semiconductor(安森美)
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