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FQPF4N90CT
0.82
FQPF4N90CT 数据手册 (12 页)
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FQPF4N90CT 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
740pF @25V(Vds)
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
47000 mW

FQPF4N90CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

FQPF4N90CT 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 1.31 MByte

FQPF4N90 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF4N90C, 4 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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