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FQPF5N60
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FQPF5N60 数据手册 (8 页)
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FQPF5N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
40W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
45 ns
输入电容值(Ciss)
730pF @25V(Vds)
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

FQPF5N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF5N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.61 MByte

FQPF5 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF5N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
N-沟道 600 V 2.5 Ω 19 nC 法兰安装 QFET Mosfet - TO-220F
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
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