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FQPF5N60C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N-沟道 600 V 2.5 Ω 19 nC 法兰安装 QFET Mosfet - TO-220F

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQPF5N60C 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FQPF5N60C 数据手册 (10 页)

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FQPF5N60C 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.5 Ω

功耗

33 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

670pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

33 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

33000 mW

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FQPF5N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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FQPF5N60C 符合标准

FQPF5N60C 概述

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