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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FQPF65N06 Datasheet 文档
FQPF65N06
8.099

FQPF65N06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.016 Ω
极性
N-Channel
功耗
56 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
40.0 A
上升时间
160 ns
输入电容值(Ciss)
2410pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
56 W
下降时间
105 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
56W (Tc)

FQPF65N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQPF65N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

FQPF65 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF65N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF65N06, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
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