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FQPF6N90CT
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FQPF6N90CT 数据手册 (12 页)
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FQPF6N90CT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
56W (Tc)
漏源极电压(Vds)
900 V
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
1770pF @25V(Vds)
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
56W (Tc)

FQPF6N90CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF6N90CT 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 1.2 MByte

FQPF6N90 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF6N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF6N90C, 6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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