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FQPF85N06
2.041
FQPF85N06 数据手册 (9 页)
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FQPF85N06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
53.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
10 mΩ
极性
N-Channel
功耗
62 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
53.0 A
输入电容值(Ciss)
4120pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
62 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
62W (Tc)

FQPF85N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQPF85N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.51 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.27 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FQPF85 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF85N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 60 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF85N06, 53 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
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