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FQT4N20TF
2.01
FQT4N20TF 数据手册 (8 页)
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FQT4N20TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-261-4
功耗
2.2W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
220pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.2W (Tc)

FQT4N20TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT4N20TF 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.61 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.06 MByte

FQT4N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 200V 850mA
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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