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FQU17P06TU
0.917
FQU17P06TU 数据手册 (9 页)
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FQU17P06TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
电源电压
37.0V (max)
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-12.0 A
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
135 mΩ
极性
P-Channel
功耗
44 W
输入电容
690 pF
栅电荷
21.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
-12.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FQU17P06TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.8 mm
宽度
2.5 mm
高度
6.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQU17P06TU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 1.4 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 1.55 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FQU17P06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU17P06TU  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU17P06TU, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Freescale(飞思卡尔)
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