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FQU1N60TU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQU1N60TU 数据手册 (9 页)

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FQU1N60TU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-251-3

功耗

2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

输入电容值(Ciss)

150pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

FQU1N60TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQU1N60TU 符合标准

FQU1N60TU 数据手册

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9 页 / 0.53 MByte

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