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FS100R12KT4B11BOSA1
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FS100R12KT4B11BOSA1 数据手册 (1 页)
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FS100R12KT4B11BOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
6.3nF @25V
额定功率(Max)
515 W

FS100R12KT4B11BOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
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FS100R12KT4B11 数据手册

Infineon(英飞凌)
EconoPACK2模块沟/场终止IGBT 4极和发射Controlled4二极管 EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
Infineon(英飞凌)
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