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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > FS10R12VT3BOMA1 Datasheet 文档
FS10R12VT3BOMA1
11.907
FS10R12VT3BOMA1 数据手册 (1 页)
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FS10R12VT3BOMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
11 Pin
封装
AG-EASY750-1
功耗
64000000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
700pF @25V
额定功率(Max)
64 W
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
64000000 mW

FS10R12VT3BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
32.4 mm
宽度
25.4 mm
高度
12 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

FS10R12VT3BOMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.07 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 2.24 MByte

FS10R12VT3 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
Infineon FS10R12VT3BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 16 A, Vce=1200 V, 11引脚 EASY750封装
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