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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > FS50R12W2T4 Datasheet 文档
FS50R12W2T4
45.682
FS50R12W2T4 数据手册 (9 页)
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FS50R12W2T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
18 Pin
封装
AG-EASY2B-1
额定功率
335 W
针脚数
18 Position
极性
N-Channel
功耗
335 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

FS50R12W2T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FS50R12W2T4 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.47 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 2.24 MByte

FS50R12W2 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  FS50R12W2T4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FS50R12W2T4_B11  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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