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FZ1200R45KL3B5NOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

A-IHV190-4

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.5 V, 13.5 kW, 4.5 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FZ1200R45KL3B5NOSA1 数据手册 (10 页)

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FZ1200R45KL3B5NOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

9 Pin

封装

A-IHV190-4

功耗

13.5 kW

击穿电压(集电极-发射极)

4500 V

输入电容值(Cies)

280nF @25V

额定功率(Max)

13500 W

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

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FZ1200R45KL3B5NOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-50℃ ~ 125℃

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FZ1200R45KL3B5NOSA1 符合标准

FZ1200R45KL3B5NOSA1 概述

FZ1200R45KL3B5NOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.63 MByte

FZ1200R45KL3B5NOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FZ1200R45KL3B5NOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 6.73 MByte

FZ1200R45KL3B5NOSA1 产品描述及参数

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.03 MByte

FZ1200R45KL3B5 数据手册

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FZ1200R45KL3B5NOSA1 数据手册

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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.5 V, 13.5 kW, 4.5 kV, Module

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