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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > FZ900R12KP4HOSA1 Datasheet 文档
FZ900R12KP4HOSA1
255.29

FZ900R12KP4HOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
AG-62MM-2
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
56nF @25V
耗散功率(Max)
4300000 mW

FZ900R12KP4HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 125℃

FZ900R12KP4HOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FZ900R12KP4 数据手册

Infineon(英飞凌)
62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT 4极和发射Controlled4二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode
Infineon(英飞凌)
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