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FZT851TA
0.187
FZT851TA 数据手册 (7 页)
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FZT851TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
130 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-261-4
极性
NPN
功耗
3 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
6A
最小电流放大倍数
100 @2A, 1V
额定功率(Max)
3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

FZT851TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FZT851TA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.56 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

FZT851 数据手册

Diodes(美台)
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 200 hFE
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  FZT851.  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 100 hFE
Diodes(美台)
FZT851TA 编带
Zetex
FZT851TA NPN三极管 150V 6A 130MHz 100~300 375mV/0.375V SOT-223 marking/标记 FZT851 高电流(高性能)晶体管
Diodes(美台)
三极管(BJT) FZT851QTA SOT-223
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
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