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FZT853TA
0.153
FZT853TA 数据手册 (7 页)
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FZT853TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
130 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-261-4
极性
NPN
功耗
3 W
增益频宽积
130 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
6A
最小电流放大倍数
100 @2A, 2V
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

FZT853TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FZT853TA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.46 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.23 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.16 MByte

FZT853 数据手册

Diodes(美台)
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 200 hFE
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  FZT853  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 130 MHz, 3 W, 6 A, 200 hFE
Diodes(美台)
三极管(BJT) FZT853TA SOT-223-4
Zetex
FZT853TA NPN三极管 200V 6A 130MHz 100~300 375mV/0.375V SOT-223 marking/标记 FZT853 高电流(高性能)晶体管
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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